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如何用雙向可控硅觸發電路的原理圖介紹

返回列表來源:壹芯微 發布日期 2024-01-31 瀏覽:-

如何用雙向可控硅觸發電路的原理圖介紹

當觸發器件所需的柵極電流高于控制電路輸出電流能力時,必須放大控制電路輸出電流。例如,如今許多 MCU 的輸出引腳的電流能力約為 30 mA。

借助 IGT,他們可以安全地切換高達 15 至 20 mA 的雙向可控硅。如果具有 35 或 50 mA IGT 的 Triac 必須由此類 MCU 控制,則以下是兩種解決方案。

首先,并聯使用多個 MCU 輸出引腳(最好是在每個輸出引腳和 Triac 柵極之間使用單獨的柵極電阻,以確保每個引腳之間良好的電流重新分配)。其次,使用如下示意圖所示的雙極晶體管。

41.png

對于雙極解決方案,唯一的方法是使用 PNP 晶體管來保持柵極電流。為了將其驅動參考設置為穩定的偏置,必須使用 PNP 晶體管,在本例中即為電源 (Vdd)。

這是正電源拓撲的另一個缺點。必須使用PNP晶體管代替NPN晶體管來放大控制電路輸出電流。與 NPN 晶體管相比,PNP 晶體管的電流增益較低,但價格較高。

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